Описание:

Серия Helios также включает прибор Helios NanoLab 1200 с 300 миллиметровыми платформами для образцов, обеспечивающий высочайшую производительность для больших образцов, где необходимость сохранения их положения имеет решающее значение. Лидерство FEI в области двухлучевых технологий теперь дает возможность с помощью передовой электронной и ионной оптики получать беспрецедентное разрешение микроскопических изображения при использовании больших подложек при пробоподготовке, исследовании дефектов и анализе неисправностей.

Helios NanoLab 1200 сочетает в себе визуализацию изображений при помощи электронного пучка нового поколения и травление ионным пучком, что позволяет получить высокоточные поперечные сечения и провести их анализ на сканирующем электронном микроскопе. Для нужд просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) это очень удобно – такая техника поможет вам быстро и качественно подготовить ультратонкие срезы образцов. Так как геометрические размеры устройств продолжают сокращаться и вводятся новые материалы, производители полупроводниковой продукции нуждаются в существенно более высоком разрешении для визуализации и в аналитических методах, используемых для анализа неисправностей, процесса разработки и управления технологическими процессами. Helios NanoLab 1200 удовлетворяет все потребности, используя высокоточный сфокусированный пучок ионов (ФИП) для приготовления поперечных разрезов и СЭМ для визуализации с высоким разрешением. Когда процесс получения изображения требует больше возможностей, чем могут предоставить технологии сканирующей электронной микроскопии, Helios NanoLab 1200 все еще может вас удивить своими возможностями. Он предоставляет широкую область для дополнительного движения подложки с образцом и встроенные возможности для получения качественного изображения на сканирующем просвечивающем электронном микроскопе (СПЭМ) с более высоким разрешением и контрастом. Наконец, для самых требовательных приложений, микроскоп позволяет быстро и надежно подготовить специфичные ультратонкие образцы, которые необходимы для визуализации и анализа при последующей загрузке в СПЭМ или ПЭМ системы.

 

Комплексная подготовка ламелл дл явизуализации и анализа с помощью ПЭМ.

В случае когда анализ образца требует сверхвысокого разрешения и специального режима (С)ПЭМ, платформа Helios NanoLab 1200 является идеальным выбором для подготовки ультратонких образцов, которые требуются для методов исследования.

Всеобъемлющая автоматизация позволяет проводить автоматическую подготовку нескольких специфических образцов в течение одной загрузки в камеру, что снижает затраты и стоимость подготовки, рассчитанную на один образец, и делает систему конкурентоспособной с традиционными методами массовой подготовки образцов для СЭМ. Программное обеспечение «Slice & View» приобретает возможность получать последовательные изображения поперечных сечений и восстанавливать трехмерную модель в выбранном объеме, который можно просмотреть и виртуально рассечь в любом направлении. Дополнительная энерго-дисперсионная рентгеновская спектрометрия (EDS) в применении к тонким образцам дает информацию о составе образца с очень хорошим пространственным разрешением. Новая опция MultiLoader позволяет провести безопасную и надежную передачу ПЭМ-образца между несколькими системами для микроскопии, визуализации и анализа, например, между FEI Titan и Tecnai  просвечивающими электронными микроскопами.

 

Электронная колонна Elstar.

Инновационная электронная колонна Elstar, введенная только в серии в HeliosDualBeam, обеспечивает Helios NanoLab 1200 исключительной возможностью для визуализации. Система способна предоставить 1.0 нм разрешение в сканирующем электронном микроскопе на оптимальном для работы расстоянии. Производительность получения изображения еще более усиливается с использованием передовых технологий сканирования и систем обнаружения сигнала через линзы, которые обеспечивают значительное улучшение в контрасте и отношении сигнал-шум. Двойное магнитное экранирование повышает устойчивость системы к внешним помехам и полям. Технология Constant Power, использующаяся в объективе, исключает тепловые нестабильности, обычно вызванные изменениями в оптической силе объектива.

 

Ионная колонна с боковым окном.

Ионная колонна с боковым окном обеспечивает выдающуюся производительность в широком диапазоне рабочих напряжений и токов пучка. При более высоких напряжениях, система приходит к оптимальному балансу между током пучка для увеличения скорости травления и оптимальным диаметром пучка для точности травления, что может гарантировать, что ценная информация о дефектах не потеряется, и дефект не разрушится во время приготовления поперечного среза. Способность колонны поддерживать небольшой диаметр луча при низких напряжениях (1 кВ) позволяет проводить окончательную низко энергетичную чистку разрезанной поверхности под скользящим углом для удаления поверхностных повреждений. Большой выбор вариантов состава газовой атмосферы в камере позволяет ускорить травление, защитить поверхность и улучшить качество изображений.

 

Основные преимущества:

• Быстрое программное обеспечение для автоматизации обеспечивает улучшенное качество и постоянство результата для стандартизированных задач
• Простой в использовании оператором интерфейс уменьшает время обучения и повышает производительность работника
• Высокая эффективность электронной колонны Elstar с полевой эмиссией обеспечивает быстрое и простое получение высококонтрастных СПЭМ изображений с высоким разрешением до субнанометрового диапазона
• Ионная колонна Sidewinder обеспечивает высокую скорость и высокое разрешение при травлении и приготовлении срезов
• Камера оснащена расширенной полупроводниковой подложкой и вмещает образцы до 300 мм или 200 мм в диаметре, а также имеет возможность работать с подложками от 100 до 200 мм.
• Небольшой держатель для образцов работает с ПЭМ образцами и их частями до 50 мм2
• Мультизагрузчик предназначен для безопасной, надежной и автоматической передачи ПЭМ ламелл между различными микроскопическими системами. В него также встроены инструменты для визуализации
• Дополнительный рентгеноструктурный анализ дает точную информацию об элементном составе образца

 

Характеристики

Разрешение электронного пучка 0.9 нм при 15 кВ и 1.4 нм при 1 кВ

Разрешение в режиме ионного пучка 5.0 нм при 30 кВ

Ускоряющее напряжение 350 В - 30 кВ (электроны), 500 В - 30 кВ (ионы)