Описание:

Verios – это передовое семейство сканирующих электронных микроскопов FEI второго поколения с высочайшей в мире разрешающей способностью. Этот прибор обеспечивает субнанометровое разрешение в диапазоне ускоряющих напряжений от 1 до 30 кВ. Его непревзойденная работа при низких ускоряющих напряжениях обеспечивает получение чрезвычайно точных данных о структуре поверхности, недоступных при использовании других методов.

Расширение возможностей сканирующей электронной микроскопии.

На рынке полупроводников и хранения данных уникальные характеристики Verios значительно расширяют возможности растровой электронной микроскопии до 22 нм и ниже, предлагая полное решение для фундаментальных исследований, разработки процессов и материалов, контроля процессов и анализа отказов.

Система дает точные и воспроизводимые результаты измерений даже сверхчувствительных материалов. В комбинации с метрологическим программным обеспечением FEI, Verios обеспечивает точность измерений, необходимую для контроля процессов развития технологий. Verios предлагает лучшую производительность без ущерба высокой пропускной способности, гибкости образцов и простоты традиционной сканирующей электронной микроскопии.

Области применения: естественные науки, материаловедение, нанотехнологии, микроэлектроника.

Основные преимущества:

• Колонна Elstar с катодом Шоттки с монохроматором (UC) – новейшая технология, обеспечивающая лучшее в своем классе субнанометровое разрешение при ускоряющих напряжениях в диапазоне от 500 В до 30 кэВ.
• Высококонтрастные изображения за счет новых детекторов, расположенных в колонне и под линзой
• Легкий в работе. Возможность работы с разнообразными типоразмерами образцов (образцы диаметром до 200мм) и материалами (в том числе чувствительными к воздействию электронного пучка, магнитными, непроводящими)
• Интегрированные системы криогенной и плазменной очистки позволяют поддерживать образец и камеру чистыми в течение всего исследования
• Высокоточный и устойчивый предметный столик (размер 100 x 100 мм) с пьезоэлектрическим приводом в большой аналитической камере
• Использование энергий пучка у поверхности образца вплоть до 20 эВ с получением изображений высокого разрешения для точного снятия характеристик поверхности.
• Полный спектр возможностей анализа и прототипирования.

Технические характеристики: